就在全球还在关注硅基芯片的先进工艺研发之时，中国和美国已在新芯片技术上展开较量，那就是量子芯片，量子芯片技术已被成为是取代现有硅基芯片的先进芯片技术，将突破摩尔定律的极限，同时也将大幅提升芯片的性能并降低功耗。
目前的硅基芯片性能提升主要依赖芯片制造工艺的提升，然而业界都清楚硅基芯片的极限是1nm，而目前最先进的芯片制造工艺是3nm却已面临巨大困难，三星的3nm工艺技术更先进但是良率太低，台积电的3nm工艺基于成熟的FinFET技术却导致性能提升有限而成本过高被苹果舍弃。
3nm工艺尚且面临诸多困难，更别谈难度更大的2nm工艺了，2nm工艺能否如期在2025年量产存在很大的不确定性，再有就是2nm工艺需要采用ASML第二代EUV光刻机，而第二代EUV光刻机将比目前的EUV光刻机贵两倍多，工艺生产的耗电成本也是倍速上涨，性能提升和成本未必达到经济成本。
